在Al2O3衬底上GaN的APMOCVD生长

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

在Al₂O₃衬底上GaN的APMOCVD生长

研究快报 | 更新时间：2020-08-11

- 在Al₂O₃衬底上GaN的APMOCVD生长
- GROWTH OF GaN BY APMOCVD ON Al₂O₃
- 发光学报 1996年17卷第2期页码：175-177
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1996-03-28，
  
  纸质出版日期：1996-05-30
- 稿件说明：
移动端阅览
缪国庆, 元金山, 朱景义, 李玉琴, 洪春荣. 在Al2O3衬底上GaN的APMOCVD生长[J]. 发光学报, 1996,17(2): 175-177

Miao Guoqing, Yuan Jinshan, Zhu Jingyi, Li Yuqin, Hong Chunrong. GROWTH OF GaN BY APMOCVD ON Al2O3[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 175-177
缪国庆, 元金山, 朱景义, 李玉琴, 洪春荣. 在Al2O3衬底上GaN的APMOCVD生长[J]. 发光学报, 1996,17(2): 175-177 DOI：

Miao Guoqing, Yuan Jinshan, Zhu Jingyi, Li Yuqin, Hong Chunrong. GROWTH OF GaN BY APMOCVD ON Al2O3[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 175-177 DOI：

含氮Ⅱ一Ⅴ族化合物(包括GaN、AIN、InN和GaAIN)是直接带隙半导体材料

它们的禁带宽度可以从1.9eV到6.2eV

是目前最重要的蓝光半导体材料

不仅适合制作从可见光到紫外波段的光电器件

例如蓝光发光二极管、激光器和光电探侧器

而且可用于制作耐高温、大功率的电子器件.特别是利用APMOCVD技术在蓝宝石衬底上制备GaIV单晶膜取得突破性进展

并且制作了高亮度发光二极管后

[1]

Ⅱ-Ⅴ族含氮化合物半导体材料受到广泛重视.

GaN has been grown on(0001) Al

substrates by APMOCVD.Carrier concetration of GaN is 2.3×10

-3

.Hall mobility of GaN is 320 cm

/V·s.The minimum FWHM of (0001) peak of double crystal X-ray diffraction is 12’.The photoluminescennce of GaN has been observed.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据

在Al₂O₃衬底上GaN的APMOCVD生长