您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光
论文 | 更新时间:2020-08-11
    • SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光

    • PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTROLUMINESCENCE FROM SiGe/Si QUANTUM WELL WITH LOW TEMPERATURES

    • 发光学报   1996年17卷第2期 页码:128-132
    • 收稿日期:1995-07-26

      纸质出版日期:1996-05-30

    移动端阅览

  • 董文甫, 王启明, 杨沁清, 崔堑, 周钧铭, 黄绮. SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光[J]. 发光学报, 1996,17(2): 128-132 DOI:

    Dong Wenfu, Wang Qiming, Yang Qinqing, Chui Qian, Zhou Junming, Huang Qi. PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTROLUMINESCENCE FROM SiGe/Si QUANTUM WELL WITH LOW TEMPERATURES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 128-132 DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

66

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

垒层厚度对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理
SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源
中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究
MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究
锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究

相关作者

赵德刚
周梅
易淋凯
黄佳琳
鲍希茂
邓树胜
谭超
袁仁宽

相关机构

中国农业大学 应用物理系
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室
南京大学物理系, 固体微结构国家重点实验室
北京科技大学材料物理系
中国科学院半导体研究所, 半导体材料科学实验室
0