高温氧化多孔硅的电子束辐照效应

张学兵; 郭常新

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高温氧化多孔硅的电子束辐照效应

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 高温氧化多孔硅的电子束辐照效应
- EFFECT OF ELECTRON IRRADIATION ON HIGH TEMPERATURE OXIDIZED POROUS SILICON
- 发光学报 1996年17卷第2期页码：111-115
- 作者机构：
  
  中国科学技术大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1995-06-30，
  
  纸质出版日期：1996-05-30
- 稿件说明：
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张学兵, 郭常新. 高温氧化多孔硅的电子束辐照效应[J]. 发光学报, 1996,17(2): 111-115

Zhang Xuebing, Guo Changxing. EFFECT OF ELECTRON IRRADIATION ON HIGH TEMPERATURE OXIDIZED POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 111-115
张学兵, 郭常新. 高温氧化多孔硅的电子束辐照效应[J]. 发光学报, 1996,17(2): 111-115 DOI：

Zhang Xuebing, Guo Changxing. EFFECT OF ELECTRON IRRADIATION ON HIGH TEMPERATURE OXIDIZED POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 111-115 DOI：

摘要

通过高温氧化处理得到的多孔硅

其阴极射线发光谱呈现明显的三峰结构。峰强随电子束辐照时间而下降。对光致发光很弱的样品

电子束辐照后光致发光明显地增强。红外透射谱及Raman谱分析表明样品基本上成为SiO

.进一步分析指出三峰可能来源于SiO

中的缺陷中心发光。电子束辐照在SiO

禁带中引进了一些缺陷能级

通过这些能级使得紫外线可激发样品发光

出现光致发光增强的现象。

Abstract

High temperature oxidized porous silicon has been investigated.Three peaks can be seen on the cathodeluminescent(CL)spectrum.The intensity of these peaks decreases fast with electron irradiation.For poor photoluminescent(PL)sample

the PL intensity enhances obviously after electron irradiation.The IR and Raman spectra of high temperature oxidized porous silicon show that whose strueture is mainly SiO

.Further analysis shows that three peaks may come from the luminescence of defect centers in SiO

.As electron irradiation

some other defects are generated in SiO

.This makes the CL intensity decrease and only through these defects the luminescent centers can be excited by UV light

therefore the sample’s PL intensity is increased.

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