电场调制下Zn0.85Cd0.15Se-Znse应变层超晶格的受激发射

郑著宏; 关郑平; 张吉英; 范希武

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电场调制下Zn_0.85Cd_0.15Se-Znse应变层超晶格的受激发射

研究快报 | 更新时间：2020-08-11

- 电场调制下Zn_0.85Cd_0.15Se-Znse应变层超晶格的受激发射
- STIMULATED EMISSION IN A ZN_0.85Cd_0.15Se-ZnSe STRAINED LAYER SUPERLATTICE UNDER AN ELECTRIC FIELD MODULATION
- 发光学报 1996年17卷第3期页码：269-271
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所长春,130021
  2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;长春物理研究所激发态物理开放实验室基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1996-04-26，
  
  纸质出版日期：1996-08-30
- 稿件说明：
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郑著宏, 关郑平, 张吉英, 范希武. 电场调制下Zn0.85Cd0.15Se-Znse应变层超晶格的受激发射[J]. 发光学报, 1996,17(3): 269-271

Zheng Zhuhong, Guan Zhengping, Zhang Jiying, Fan Xiwu. STIMULATED EMISSION IN A ZN0.85Cd0.15Se-ZnSe STRAINED LAYER SUPERLATTICE UNDER AN ELECTRIC FIELD MODULATION[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(3): 269-271
郑著宏, 关郑平, 张吉英, 范希武. 电场调制下Zn0.85Cd0.15Se-Znse应变层超晶格的受激发射[J]. 发光学报, 1996,17(3): 269-271 DOI：

Zheng Zhuhong, Guan Zhengping, Zhang Jiying, Fan Xiwu. STIMULATED EMISSION IN A ZN0.85Cd0.15Se-ZnSe STRAINED LAYER SUPERLATTICE UNDER AN ELECTRIC FIELD MODULATION[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(3): 269-271 DOI：

摘要

近几年

随着I-Ⅵ矶族宽禁带半导体二极管激光器取得突破性进展

[1]

对ZnSe基量子阱和超晶格结构的受激发射已进行了广泛的研究

[2~3]

.但是迄今为止

人们尚未观测到电场调制下的受激发射增强现象.本文报道我们在Zn

0.85

0.15

Se-Znse应变层超晶格中观测到的电场调制的受激发射.

Abstract

At 77 K.stimulated emission from n=1 heavy hole excition under an electric field modulation is observed in a Zn

0.85

0.15

Se-Znse strained layer superlattice grown by atmospheric MOCVD.When an externally applied reverse bias voltage rises to 1.5 V (corresponding to 1.3×10

V/cm)

the stimulated emission is obviously enhanced in the ratio between lasing and heavy hole exciton luminescence intensities as compared with that at zero bias voltage.The stimulated emission rapidly quench with increasing bias voltage to 1.8 V.

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