Ni+注入n-GaPDLTS谱中Ni杂质能级的识别

杨锡震; 陈晓白; 李智; 田强

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Ni⁺注入n-GaPDLTS谱中Ni杂质能级的识别

论文 | 更新时间：2020-08-11

- Ni⁺注入n-GaPDLTS谱中Ni杂质能级的识别
- DISCERNMENT ON THE Ni IMPURITY LEVEL IN DLTS SPECTRA OF Ni⁺-IMPLANTED n-GaP
- 发光学报 1996年17卷第2期页码：133-142
- 作者机构：
  
  1. 北京师范大学物理系北京,100875
  2. 半导体超晶格国家重点实验室, 中国科学院半导体研究所北京,100083
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1995-08-21，
  
  纸质出版日期：1996-05-30
- 稿件说明：
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杨锡震, 陈晓白, 李智, 田强. Ni+注入n-GaPDLTS谱中Ni杂质能级的识别[J]. 发光学报, 1996,17(2): 133-142

Yang Xizhen, Chen Xiaobai, Li Zhi, Tian Qiang. DISCERNMENT ON THE Ni IMPURITY LEVEL IN DLTS SPECTRA OF Ni+-IMPLANTED n-GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 133-142
杨锡震, 陈晓白, 李智, 田强. Ni+注入n-GaPDLTS谱中Ni杂质能级的识别[J]. 发光学报, 1996,17(2): 133-142 DOI：

Yang Xizhen, Chen Xiaobai, Li Zhi, Tian Qiang. DISCERNMENT ON THE Ni IMPURITY LEVEL IN DLTS SPECTRA OF Ni+-IMPLANTED n-GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 133-142 DOI：

摘要

在不同条件下退火的Ni

注入n-GaPDLTS谱中观测到表观激活能在0.60～0.70eV范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ni杂质各荷电状态浓度空间分布在DLTS测量的零偏-反偏过程中的变化进行了计算。结合分析实测各能级热发射率数据

对其中起源于Ni

中心的DLTS峰作出了判断。

Abstract

Several majority and minority peaks with apparent activation energy within a range of 0.6-0.7 eV appeared on the DLTS spectra of Ni

-implanted n-GaP annealed at different conditions.The band-bendings and space profilling changes of the concentrations of Ni

impurity in its different charge states within the doping layers during the zero-reverse bias process have been calculated for the samples.Combining an analysis of the thermal emission rate data of the levels

a discernment on which

among the DLTS peaks observed experimentally

could be caused by Nic. center has been made.

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