常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光

张吉英; 杨宝均; 范希武; 吕有明; 申德振

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常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光
- BULE-GREEN ELECTROLUMINESCENCE OF ZnSe pin DIODES
- 发光学报 1996年17卷第1期页码：89-90
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所长春,130021
  2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家863光电子主题资助;中国科学院长春物理所激发态物理开放研究实验室资助课题
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1995-10-05，
  
  纸质出版日期：1996-02-29
- 稿件说明：
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张吉英, 杨宝均, 范希武, 吕有明, 申德振. 常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光[J]. 发光学报, 1996,17(1): 89-90

Zhang Jiying, Yang Baojun, Fang Xiwu, Lü Youming, Shen Dezhen. BULE-GREEN ELECTROLUMINESCENCE OF ZnSe pin DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 89-90
张吉英, 杨宝均, 范希武, 吕有明, 申德振. 常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光[J]. 发光学报, 1996,17(1): 89-90 DOI：

Zhang Jiying, Yang Baojun, Fang Xiwu, Lü Youming, Shen Dezhen. BULE-GREEN ELECTROLUMINESCENCE OF ZnSe pin DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 89-90 DOI：

摘要

蓝色电致发光和激光器件的研究已有一段较长的历史.人们曾把GaN

SiC和ZnSe等半导体作为获得蓝色发光的主要材料.对于ZnSe

由于它是直接带隙且正好适于蓝区波段

因此

它是实现全彩色化显示、显像以及提高光存储合适的材料之一.

Abstract

ZnSe pin structure has been grown on n

-GaAs substrate by AP-MOCVD. Bulegreen electroluminescence of ZnSe pin diodes was obtained at 77K. The peak position located at 465 urn and had a big full width at half-maximum(FWHM). With increasing pulse current

its FWHM was compressed.

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