纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

吕少哲; 孙聆东; 赵家龙; 窦恺; 黄世华; 虞家琪; 向卫东; 丁子上

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纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

发光学一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究
- INVESTIGATION OF THE PHOTOLUMINESCENCE LINE-WIDTH BROADENING IN NANOMETER-SIZE CdS SEMICONDUCTOR MICROCRYSTALLITES
- 发光学报 1996年17卷第1期页码：23-27
- 作者机构：
  
  1. 浙江大学材料科学工程系杭州,310027
  2. 中国科学院激发态物理开放实验室, 长春130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;中国科学院激发态物理开放实验室基金自主课题
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1995-03-15，
  
  纸质出版：1996-02-29
- 稿件说明：
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吕少哲, 孙聆东, 赵家龙, 窦恺, 黄世华, 虞家琪, 向卫东, 丁子上. 纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究[J]. 发光学报, 1996,17(1): 23-27

Lü Shaozhe, Sun Lingdong, Zhao Jialong, Don Kai, Huang Shihua, Yu Jiaqi, Xiang Weidong, Ding Zishang. INVESTIGATION OF THE PHOTOLUMINESCENCE LINE-WIDTH BROADENING IN NANOMETER-SIZE CdS SEMICONDUCTOR MICROCRYSTALLITES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 23-27
吕少哲, 孙聆东, 赵家龙, 窦恺, 黄世华, 虞家琪, 向卫东, 丁子上. 纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究[J]. 发光学报, 1996,17(1): 23-27 DOI：

Lü Shaozhe, Sun Lingdong, Zhao Jialong, Don Kai, Huang Shihua, Yu Jiaqi, Xiang Weidong, Ding Zishang. INVESTIGATION OF THE PHOTOLUMINESCENCE LINE-WIDTH BROADENING IN NANOMETER-SIZE CdS SEMICONDUCTOR MICROCRYSTALLITES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 23-27 DOI：

摘要

测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光光谱

研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系.考虑CdS微晶的LO声子的相互作用

拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线

获得样品的非均匀线宽.CdS微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的.

Abstract

The photoluminescence spectra of nanometer-size CdS semiconductor microcrystallites doped in glass were measured at various temperatures. The temperature dependence of the peak energy and linewidth of the band-gap luminescence was investigated.Taking the LO phonon interaction into account

the linewidths of the luminescence as a function of temperature were fitted. The inhomogenous broadening constant was obtained and mainly associated with the size distribution of CdS microcrystallites.

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