利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射

元光; 宋航; 金亿鑫; 张宝林; 周天明; 宁永强; 蒋红; 李树伟

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利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射

研究快报 | 更新时间：2020-08-11

- 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射
- VISIBLE EMISSION OF Ge NANOCRYSTAL FROM Si MATRICES
- 发光学报 1995年16卷第4期页码：368-370
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所, 长春 130021
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O43
- 收稿日期：1995-09-26，
  
  纸质出版日期：1995-11-30
- 稿件说明：
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元光, 宋航, 金亿鑫, 张宝林, 周天明, 宁永强, 蒋红, 李树伟. 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射[J]. 发光学报, 1995,16(4): 368-370

Yuan Guang, Song Hang, Jin Yixin, Zhang Baolin, Zhou Tianming, Ning Yongqiang, Jiang Hong, Li Shuwei. VISIBLE EMISSION OF Ge NANOCRYSTAL FROM Si MATRICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 368-370
元光, 宋航, 金亿鑫, 张宝林, 周天明, 宁永强, 蒋红, 李树伟. 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射[J]. 发光学报, 1995,16(4): 368-370 DOI：

Yuan Guang, Song Hang, Jin Yixin, Zhang Baolin, Zhou Tianming, Ning Yongqiang, Jiang Hong, Li Shuwei. VISIBLE EMISSION OF Ge NANOCRYSTAL FROM Si MATRICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 368-370 DOI：

摘要

如何实现硅基材料的发光

一直是很受重视的一个研究方向。以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶格的途径实现Si基材料发光。90年代初发倪的多孔硅发光

[1]

引起人们的广泛关注

对多孔硅的制备工艺、发光特性、机理和定性以及可能的应用等方面进行了广泛的研究。但至今尚没有阐明发光机理

而且多孔硅存在结构脆弱、对环境敏感、不易实现电注入等问题。

Abstract

Abstract The pure Ge and SiO

were deposited on Si wafers by rf-magnetron co-sputtering technique and then annealed in N2 gas atmosphere.The annealed sample shows a strong visible emission and for the first time

an emission peaked at 540 urn was observed.Theluminescence was not observed from the sample as deposited with SiO

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