Ga0.51In0.49P的MOCVD生长特性研究

缪国庆; 朱景义; 李玉琴; 洪春荣; 元金山

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Ga_0.51In_0.49P的MOCVD生长特性研究

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- Ga_0.51In_0.49P的MOCVD生长特性研究
- THE GROWTH CHARACTERISTIC STUDY OF Ga_0.51In_0.49P BY MOCVD
- 发光学报 1996年17卷第1期页码：43-46
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“863”新材料领域课题
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1995-01-25，
  
  纸质出版日期：1996-02-29
- 稿件说明：
移动端阅览
缪国庆, 朱景义, 李玉琴, 洪春荣, 元金山. Ga0.51In0.49P的MOCVD生长特性研究[J]. 发光学报, 1996,17(1): 43-46

Miao Guoqing, Zhu Jingyi, Li Yuqin, Hong Chunrong, Yuan Jinshan. THE GROWTH CHARACTERISTIC STUDY OF Ga0.51In0.49P BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 43-46
缪国庆, 朱景义, 李玉琴, 洪春荣, 元金山. Ga0.51In0.49P的MOCVD生长特性研究[J]. 发光学报, 1996,17(1): 43-46 DOI：

Miao Guoqing, Zhu Jingyi, Li Yuqin, Hong Chunrong, Yuan Jinshan. THE GROWTH CHARACTERISTIC STUDY OF Ga0.51In0.49P BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 43-46 DOI：

摘要

本文报导了用国产常压MOCVD系统生长GaInP材料.研究GaInP的生长特性

用光致发光、扫描电镜、X光双晶衍射对材料进行表征.发现Ⅴ/Ⅲ比对GaInP的光学特性有很大影响.在温度680℃

Ⅴ/Ⅲ比为90的条件下得到Ga

0.51

0.49

P外延层的光致发光谱的半高宽为26meV

这是目前报导的最好结果.Ga

0.51

0.49

P的本征载流子浓度为1.1×10

-3

晶格失配为4×10

-4

Abstract

GaInP have been grown on GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) in a horizontal

atmospheric pressure reactor. The growth characteristic of GaInP wes studied by PL measurement

SEM

X-ray double crystal diffraction.Ⅴ/Ⅲ ratio influenced the optics quality of GaInP. Featureless surface morphologies Ga

0.51

0.49

P were obtained. At a Ⅴ/Ⅲ ratio of 90

temperature was 680℃

the epilayer had photoluminescence(PL) FWHM of 26meV at 300K

the best reported results to date. The background carrier concentration of Ga

0.51

0.49

P was 1.I×10

-3

. The mismatch of Ga

0.51

0.49

P was 4×10

-4

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

MOCVD系统外延生长Ⅲ－Ⅴ族化合物时Ⅴ/Ⅲ比的计算偏差

在MOCVD外延生长中Ⅴ/Ⅲ比对Al_xGa_1-xAs外延层中A1组分分布的影响

4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响

晶格小失配InGaAsP材料特性及太阳电池应用

压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响