用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性

马靖; 王淑梅; 申德振; 范希武

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用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性

研究快报 | 更新时间：2020-08-11

- 用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性
- THE STUDY OF OPTICAL NONLINEARITIES IN ZnCdSe-ZnSe MQWs USING Z-SCAN
- 发光学报 1995年16卷第4期页码：371-373
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院激发态物理开放研究实验室长春,130021
  2. 中国科学院长春物理研究所长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家基础研究和应用基础研究重大项目;国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号： O432.2
- 收稿日期：1995-10-04，
  
  纸质出版日期：1995-11-30
- 稿件说明：
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马靖, 王淑梅, 申德振, 范希武. 用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性[J]. 发光学报, 1995,16(4): 371-373

Ma Jing, Wang Shumei, Shen Dezhen, Fan Xiwu. THE STUDY OF OPTICAL NONLINEARITIES IN ZnCdSe-ZnSe MQWs USING Z-SCAN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 371-373
马靖, 王淑梅, 申德振, 范希武. 用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性[J]. 发光学报, 1995,16(4): 371-373 DOI：

Ma Jing, Wang Shumei, Shen Dezhen, Fan Xiwu. THE STUDY OF OPTICAL NONLINEARITIES IN ZnCdSe-ZnSe MQWs USING Z-SCAN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 371-373 DOI：

摘要

由于非常大的激子束缚能使得宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体多量子阱在室温下表现出明显的激子效应

进而产生巨大的激子光学非线性川。以往的非线性测量方法有的灵敏度不高

有的实验做起来非常复杂或是数据处理很困难

Z一扫描技术正是克服了这两个缺点

并能同时给出非线性折射率系数的大小和符号。本文利用Z一扫描技术在室温下研究了ZnCdSe-ZnSe/GaAs多量子阱中的三阶非线性。

Abstract

Abstract The third-order nonlinearitiesin ZnCdSe-ZnSe multiple quantum wells (MQWs)grown by the metal-organic chemical vapour deposition(MOCVD)on GaAs substrates have been studied using Z-scan at room temperature.The research result indicates that theRe(X

)in the ZnCdSe-ZnSe/GaAs MQWs is about-1.02×10

-5

esu.

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