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中国科学院长春物理研究所 长春,130021
收稿日期:1995-01-09,
纸质出版日期:1995-11-30
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王吉丰, 黄锡珉, 张志舜. ZnSe:A1深能级的研究[J]. 发光学报, 1995,16(4): 312-316
Wang Jifeng, Huang Ximin, Zhang Zhishun. DEEP LEVELS IN ZnSe:Al[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 312-316
王吉丰, 黄锡珉, 张志舜. ZnSe:A1深能级的研究[J]. 发光学报, 1995,16(4): 312-316 DOI:
Wang Jifeng, Huang Ximin, Zhang Zhishun. DEEP LEVELS IN ZnSe:Al[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 312-316 DOI:
为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为
首先测量了Znse单晶体中的深能级
发现只存在E
c
-0.33eV一个电子陷阱。然后
通过热扩散的方法
在300℃~700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体中
结果发现存在E
-0.33eV和E
-0.70eV两个电子陷阱。本文从缺陷化学角度对ZnSe中的本征缺陷和E
-0.70eV深能级的结构及起源进行了讨论。
In order to study on the intrinsic defects and behavior of Al in ZnSe
the deep levelswere detected by DLTS in the range of 300-700℃.Experimental results show that thedeep level located at E
-0.33eV exists in both ZnSe and ZnSe:A1
E
-0.70eV only in ZnSe:A1.Former is thought to be caused by V
se
or Zni
the later by V
Al
zn
.
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