CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究

窦恺; 赵家龙; 靳春明; 孙聆东; 黄世华; 虞家琪; 向卫东; 丁子上

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究
- HIGH EXCITATION PHOTOLUMINESCENCE OF CdS NANOCRYSTALS DOPED SODIUM BOROSILICATEGLASS
- 发光学报 1995年16卷第3期页码：278-280
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室, 长春 130021
  2. 浙江大学材料科学工程系, 杭州 310027
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1995-06-29，
  
  纸质出版日期：1995-08-30
- 稿件说明：
移动端阅览
窦恺, 赵家龙, 靳春明, 孙聆东, 黄世华, 虞家琪, 向卫东, 丁子上. CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究[J]. 发光学报, 1995,16(3): 278-280

Don Kai, Zhao Jialong, Jin Chunming, Sun Lingdong, Huang Shihua, Yu Jiaqi. HIGH EXCITATION PHOTOLUMINESCENCE OF CdS NANOCRYSTALS DOPED SODIUM BOROSILICATEGLASS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(3): 278-280
窦恺, 赵家龙, 靳春明, 孙聆东, 黄世华, 虞家琪, 向卫东, 丁子上. CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究[J]. 发光学报, 1995,16(3): 278-280 DOI：

Don Kai, Zhao Jialong, Jin Chunming, Sun Lingdong, Huang Shihua, Yu Jiaqi. HIGH EXCITATION PHOTOLUMINESCENCE OF CdS NANOCRYSTALS DOPED SODIUM BOROSILICATEGLASS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(3): 278-280 DOI：

摘要

CdS半导体微晶作为代表性介观材料(mesoscopic material)其光学吸收和发光与量子尺寸效应的关系已经得到广泛研究

[1-4]

发现随着CdS微晶尺寸减小

CdS本征吸收和发射带呈现显著蓝移.Rossetti等人

[3]

和Y.Wang等人

[4]

分别通过对溶胶、沸石、聚合物和玻璃中CdS纳米晶体的光致发光测量研究了发光来源以及发光与尺寸的关系

确定了两个宽带发光分别属于带隙发光(350-500nm)和表面态或缺陷发光(500-700nm).本文首次报道了利用溶胶凝胶方法制备的钠硼硅中纳米尺寸CdS晶体高激发功率条件下的发光光谱测量结果

观察到随激发功率增加发光光谱兰移和线宽明显宽化

讨论了其物理机制.

Abstract

Abstract High excitation photoluminescence of CdS nanosize microcrystals doped sodium borosillcate galssat 30Kwas investigated.The dependence of luminescence peak shift and spectral broadeningon the excitation power was experimentally measured.The pos-sible mechanism of the spectral broadeningwlth increasing the excitation power was proposed and discussed

关键词

Keywords

references

浏览量

129

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据