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SiO2薄膜的制备方法与性质
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • SiO2薄膜的制备方法与性质

    • THE INFLUENCE OF OXYGEN PARTIAL PRESSURE ON THE PROPERTY OF SiO2 THIN FILMS

    • 发光学报   1995年16卷第3期 页码：249-255

    • 收稿日期：1994-06-10，

      修回日期：1995-01-16，

      纸质出版日期：1995-08-30

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  • 陈立春, 王向军, 徐叙瑢, 姚健铨. SiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法与性质[J]. 发光学报, 1995,16(3): 249-255 DOI：

    Chen Lichun, Wang Xiangjun, Xu Xurong, Yao Jianquan. THE INFLUENCE OF OXYGEN PARTIAL PRESSURE ON THE PROPERTY OF SiO<sub>2</sub> THIN FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(3): 249-255 DOI：

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张涵
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温州大学 数理与电子信息工程学院
宁波大学 信息科学与工程学院
洛阳理工学院 数学与物理教学部
华南理工大学 材料科学与工程学院, 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室
南京大学 固体微结构国家实验室
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