N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算

吴小山; 杨锡震; 林振金; 李智

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N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算

论文 | 更新时间：2020-08-11

- N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算
- THE SOLUBILITY OF NITROGEN IN GaP AND PHOSPHORUS IN GaN
- 发光学报 1994年15卷第2期页码：116-121
- 作者机构：
  
  北京师范大学物理系北京,100875
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿日期：1993-07-12，
  
  纸质出版日期：1994-05-30
- 稿件说明：
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吴小山, 杨锡震, 林振金, 李智. N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算[J]. 发光学报, 1994,15(2): 116-121

Wu Xiaoshan, Yang Xizhen, Lin Zhenjin, Li Zhi. THE SOLUBILITY OF NITROGEN IN GaP AND PHOSPHORUS IN GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(2): 116-121
吴小山, 杨锡震, 林振金, 李智. N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算[J]. 发光学报, 1994,15(2): 116-121 DOI：

Wu Xiaoshan, Yang Xizhen, Lin Zhenjin, Li Zhi. THE SOLUBILITY OF NITROGEN IN GaP AND PHOSPHORUS IN GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(2): 116-121 DOI：

摘要

本文根据化学反应的吉布斯自由能及VanVechten等人的介电理论计算了N在GaP中的溶解度及P在GaN中的溶解度.计算结果表明

N在GaP中有一个相当好的溶解度

在这个溶解度下

GaP

1-x

合金的能带可以发生有意义的变化

我们的计算结果可以很好地说明最近一些作者所作的有关实验报道.

Abstract

he solubility of N in GaP and P in GaN were calculated by using the Gibbs free energy and the dielectric theory developed by Van Vechten et al. The agreement between the numeric results and the experimental ones which we can find is good. The dependence of the energy gap of the GaP

1-x

pestniobinary compound on the composition x was also given.

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