LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

简报 | 更新时间：2020-08-11

- LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响
- THE EFFECT OF GROWTH TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF InGaAs BY LP-MOCVD
- 发光学报 1993年14卷第4期页码：387-390
- 作者机构：
  
  吉林大学电子科学系长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1993-02-19，
  
  纸质出版日期：1993-11-30
- 稿件说明：
移动端阅览
刘宝林, 杨树人, 陈佰军, 王本忠, 刘式墉. LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响[J]. 发光学报, 1993,14(4): 387-390

Liu Baolin, Yang Shuren, Chen Baijun, Wang Benzhong, Liu Shiyong. THE EFFECT OF GROWTH TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF InGaAs BY LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(4): 387-390
刘宝林, 杨树人, 陈佰军, 王本忠, 刘式墉. LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响[J]. 发光学报, 1993,14(4): 387-390 DOI：

Liu Baolin, Yang Shuren, Chen Baijun, Wang Benzhong, Liu Shiyong. THE EFFECT OF GROWTH TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF InGaAs BY LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(4): 387-390 DOI：

众所周知

InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率

InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm

[1]

而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射

[2]

并且

InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm

[3]

因此

它不论对高速电子器件如HBT和HEMT

还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。

InGaAs matched to InP substrate was grown epitaxially By Low Pressure Metalorganic Chemical Vapour Deposition (LP-MOCVD) using TMGa

TMIn and AsH

. The effect of growth temperature on the composition

growth rate

the photoluminescence (PL) intensity and Full Width at Half Maxium (FWHM) have been studied by PL (at 15K)

Xray double diffraction and scaning electron microscopy (SME). At an optimum temperature 635-640℃

InGaAs of very good properties can be grown.

浏览量

226

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据