高亮度GaAlAs单异质结红光二极管

罗宗铁; 何胜夫; 董萍; 李向文; 魏文超; 赵宇

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高亮度GaAlAs单异质结红光二极管

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 高亮度GaAlAs单异质结红光二极管
- HIGH BRIGHTNESS SH GaAlAs RED LIGHT-EMITTING DIODES
- 发光学报 1993年14卷第4期页码：320-324
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1993-04-07，
  
  纸质出版日期：1993-11-30
- 稿件说明：
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罗宗铁, 何胜夫, 董萍, 李向文, 魏文超, 赵宇. 高亮度GaAlAs单异质结红光二极管[J]. 发光学报, 1993,14(4): 320-324

Luo Zhongtie, He Shengfu, Dong Ping, Li Xiangwen, Wei Wenchao, Zhao Yu. HIGH BRIGHTNESS SH GaAlAs RED LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(4): 320-324
罗宗铁, 何胜夫, 董萍, 李向文, 魏文超, 赵宇. 高亮度GaAlAs单异质结红光二极管[J]. 发光学报, 1993,14(4): 320-324 DOI：

Luo Zhongtie, He Shengfu, Dong Ping, Li Xiangwen, Wei Wenchao, Zhao Yu. HIGH BRIGHTNESS SH GaAlAs RED LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(4): 320-324 DOI：

摘要

本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟

选择了合适的管芯参数与生长条件

制定出稳定重复的工艺流程.用本项技术制出的单异质结管芯

发光波长为660nm

平均亮度达到4.5mcd/20mA

最高亮度达6.2mcd.

Abstract

The fabrication technology in quantity of GaAlAs single heterostructure red LED’s has been investigated in detail. A growth boat with new structure has been designed to carry out simultaneous LPE growth on many substrates. An effort has been made to obtain the optimum solution composition and the best growth parameters. A growth process for epitaxial wafers with excellent proformance and good reproducibility has been established. The LED’s dices fabricated by this process have emission wavelength of 660mm

mean brightness of 4.5mcd at 20mA and the highest value of 6.2mcd.

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