关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨

江风益; 范希武; 杨爱华; 范广涵

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨
- ELECTRICAL CONDUCTION MACHANISM OF p-TYPE ZnSe-ZnS SLS
- 发光学报 1990年11卷第4期页码：295-299
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1989-12-24，
  
  纸质出版日期：1990-11-30
- 稿件说明：
移动端阅览
江风益, 范希武, 杨爱华, 范广涵. 关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨[J]. 发光学报, 1990,11(4): 295-299

Jiang Fengyi, Fan Xiwu, Yang Aihua, Fan Guanghan. ELECTRICAL CONDUCTION MACHANISM OF <i>p</i>-TYPE ZnSe-ZnS SLS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(4): 295-299
江风益, 范希武, 杨爱华, 范广涵. 关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨[J]. 发光学报, 1990,11(4): 295-299 DOI：

Jiang Fengyi, Fan Xiwu, Yang Aihua, Fan Guanghan. ELECTRICAL CONDUCTION MACHANISM OF <i>p</i>-TYPE ZnSe-ZnS SLS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(4): 295-299 DOI：

摘要

本文利用变温Hall测量

证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A ZnSe-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度

电学参数、能带结构等方面解释ZnSe-ZnS SLS反型的原因。文中指出

这时的受主能级可能处于ZnS层靠近界面附近

这些受主能级的位置比ZnSc阱中满带顶能量低。

Abstract

ZnSe-ZnS strained-layer superlattice was thought to be an important optoelectronic material of blue region

It is very difficult for us to obtain

-type ZnSe semiconductor.Some scientists have manufactured the

-type ZnSe materials.(see Table 1) so far.Using the Van De Pauw-Hall measurement with different temperature.we verified that the ZnSe-ZnS SLS(No.87039

undoping) grown by atmospheric pressure MOCVD was a

-type semiconductor material. The electrical parameters are shown in Table 2.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据