GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

林东海; 周必忠; 黄景昭; 陈世帛

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

GaAs_0.6P_0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs_0.6P_0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫
- ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs_0.6P_0.4:Te
- 发光学报 1990年11卷第3期页码：205-211
- 作者机构：
  
  厦门大学物理系,福建厦门,361005
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1989-12-01，
  
  纸质出版日期：1990-08-30
- 稿件说明：
移动端阅览
林东海, 周必忠, 黄景昭, 陈世帛. GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫[J]. 发光学报, 1990,11(3): 205-211

Lin Donghai, Zhou Bizhong, Huang Jingzhao, Chen Shibo. ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs0.6P0.4:Te[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(3): 205-211
林东海, 周必忠, 黄景昭, 陈世帛. GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫[J]. 发光学报, 1990,11(3): 205-211 DOI：

Lin Donghai, Zhou Bizhong, Huang Jingzhao, Chen Shibo. ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs0.6P0.4:Te[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(3): 205-211 DOI：

摘要

用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs

0.6

0.4

:Te深中心的光电性质和电声耦合作用

在GaAs

0.6

0.4

:Te中检测到两种深中心(A和B中心)

表观热激活能分别为0.20和0.40eV

光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性

测量了光离化截面谱的温度关系

发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应

并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图

说明了实验结果

较好地描述了B中心的特性

确认B中心属于DX中心。

Abstract

GaAs

0.6

0.4

:Te is an important photo-electronic material. Recently increasing altension has been paid to the deep centeis in it. But the studies on the complex properties and microscopic structures of these deep centers are not efficient. In this paper we report the results of deep centers in GaAs

0.6

0.4

:Te studied by DLTS

steady and transient photo-capacitance

OITS and initial slope method. The photo-electronic properties and eleclron-phonon couple effects of the deep centers have been analyzed.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据