Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

周天明; 金亿鑫; 蒋红; 元金山; 张宝林; 杜明泽; 葛中久

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Ga_1-xIn_xAs/InAs_yP_1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

论文 | 更新时间：2020-08-11

- Ga_1-xIn_xAs/InAs_yP_1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征
- MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HETEROJUNCTION OF Ga_1-xIn_x As (x>0.53)/ InAs_1-y Py/InP
- 发光学报 1992年13卷第1期页码：57-63
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家高技术新材料委员会
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1992-02-29
- 稿件说明：
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周天明, 金亿鑫, 蒋红, 元金山, 张宝林, 杜明泽, 葛中久. Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征[J]. 发光学报, 1992,13(1): 57-63

Zhou Tianming, Jin Yixin, Jiang Hong, Yuan Jinshan, Zhang Baolin, Du Mingze, Ge Zhongjiu. MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HETEROJUNCTION OF Ga1-xInx As (x>0.53)/ InAs1-y Py/InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1992,13(1): 57-63
周天明, 金亿鑫, 蒋红, 元金山, 张宝林, 杜明泽, 葛中久. Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征[J]. 发光学报, 1992,13(1): 57-63 DOI：

Zhou Tianming, Jin Yixin, Jiang Hong, Yuan Jinshan, Zhang Baolin, Du Mingze, Ge Zhongjiu. MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HETEROJUNCTION OF Ga1-xInx As (x>0.53)/ InAs1-y Py/InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1992,13(1): 57-63 DOI：

摘要

1-x

As(x

0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统

在InP衬底上成功地生长了Ga

1-x

As(x

0.53)/InAs

1-y

/Inp异质结材料.其中InAs

1-y

为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果

证明InAs

1-y

层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较

可以看到

InAs

1-y

层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga

1-x

InxAs与InP间的失配应力

从而减少了Ga

-xIn

As中的失配位错.有效地改善了Ga

1-x

As的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga

1-x

As/InAs

1-y

/InP异质结材料.

Abstract

Ga1-xInxAs (x

0.53) may provide the basic of the device (emitter and detector) for the ultralow loss optical fiber communication system. But the Ga1-xInxAs (x

0.53) is lattice-mismatched with InP substrate. And a large number of misfit dislocations will be introduced in epi-layer. So it is difficult to grow high qulity Ga

1-x

As (x

0.53) on InP substrate.To reduce misfit dislocations

it would be very effective to insert a step-graded composition layer of InAs

1-v

between Ga

1-x

As and InP.

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