Se+注入ZnSe晶体的深能级研究

喀蔚波; 杨锡震; 王世润; 范希武

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Se⁺注入ZnSe晶体的深能级研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- Se⁺注入ZnSe晶体的深能级研究
- INVESTIGATION OF DEEP LEVEL IN Se⁺-ION-IMPLANTED ZnSe CRYSTAL
- 发光学报 1989年10卷第3期页码：192-197
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 北京师范大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-03-23，
  
  纸质出版：1989-08-30
- 稿件说明：
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喀蔚波, 杨锡震, 王世润, 范希武. Se+注入ZnSe晶体的深能级研究[J]. 发光学报, 1989,10(3): 192-197

Ka Weibo, Yang Xizhen, Wang Xizhen, Fan Xiwu(X. W. Fan). INVESTIGATION OF DEEP LEVEL IN Se+-ION-IMPLANTED ZnSe CRYSTAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(3): 192-197
喀蔚波, 杨锡震, 王世润, 范希武. Se+注入ZnSe晶体的深能级研究[J]. 发光学报, 1989,10(3): 192-197 DOI：

Ka Weibo, Yang Xizhen, Wang Xizhen, Fan Xiwu(X. W. Fan). INVESTIGATION OF DEEP LEVEL IN Se+-ION-IMPLANTED ZnSe CRYSTAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(3): 192-197 DOI：

摘要

将Se离子注入到ZnSe晶体中

用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se

前后ZnSe晶体中深能级的变化

发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带下0.30eV和0.33eV的两个能级在注Se

和退火后消失。这个结果进一步证实了Beomi等人提出的以上两个能级分别与Se双空位和包含一个Se单空位的复合体有关的论点。同时注Se

后在导带下0.34eV出现一个新的能级

其电子俘获截面明显区别于0.33eV能级。该能级可能与Se填隙原子或占Zn位的反位Se原子有关。

Abstract

ZnSe has the potential to be used to make blue LED because it has wide band gap

and its strong blue exciton luminescence is observed even at the room temperature

[1]

. The main obstruction in practice is that the p-type ZnSe with low resistivity is difficult to produce due to self-compensation. It seems that the self-compensation effect is related to the native defects originating in nonstoich-iometry during crystal growth

[1]

. The two electron traps which are located at 0.30 and 0.33eV (labeled as A and B thereafter) below conduction band are commonly observed in ZnSe. Some authors suggested that these traps be associated with Se vacancies

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