InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究

张桂成; 沈彭年

doi:null

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InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究
- STUDY OF THE MODULATION FREQUENCY CHARACTERISTICS FOR THE InGaAsP/InP DH LED'S
- 发光学报 1989年10卷第1期页码：46-53
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1988-01-11，
  
  纸质出版日期：1989-02-28
- 稿件说明：
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张桂成, 沈彭年. InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究[J]. 发光学报, 1989,10(1): 46-53

Zhang Guicheng, Shen Pengnian. STUDY OF THE MODULATION FREQUENCY CHARACTERISTICS FOR THE InGaAsP/InP DH LED'S[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(1): 46-53
张桂成, 沈彭年. InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究[J]. 发光学报, 1989,10(1): 46-53 DOI：

Zhang Guicheng, Shen Pengnian. STUDY OF THE MODULATION FREQUENCY CHARACTERISTICS FOR THE InGaAsP/InP DH LED'S[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(1): 46-53 DOI：

摘要

本文研究了光纤通信用1.3μmInGaAsP/InP双异质结发光管的频响特性。结果表明:器件有源区掺杂浓度;有源层厚度;注入电流;光谱特性;P-

结特性等因素

对发光管的频响特性有重要影响。老化前有源区DSD的存在与否对频响无明显关系。

Abstract

In this report the modulation frequency characteristics of InGaAsP/InP LED's were investigated. The InGaAsP/InP DH wafers used for fabricating the LEDs were grown by LPE technique. The structure of the wafer consists of four layers

they are a n-InP buffer layer

Sn or Te doped

a InGaAsP undoped active layer

a p-InP confining layer doped with In-Zn or Zn

a p-InGaAsP contact layer In-Zn or Zn doped.The carrier concentration profile of the InGaAsP/InP DH wafers was measured by electrochemical C-V method. The devices output power is about 1mW at 100mA.The modulation frequency was measured by a tracking scope. The experimental results are as follows.

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