Ag或Cu离子注入形成的ZnS MIS结及其蓝色电致发光

于敬华; 范希武; 宫廷干

doi:null

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Ag或Cu离子注入形成的ZnS MIS结及其蓝色电致发光

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- Ag或Cu离子注入形成的ZnS MIS结及其蓝色电致发光
- ZnS MIS DIODES FORMED BY Ag or Cu ION-IMPLANTATION AND ITS BLUE EL
- 发光学报 1988年9卷第4期页码：304-309
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
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  中图分类号：
- 纸质出版日期：1988-11-30
- 稿件说明：
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于敬华, 范希武, 宫廷干. Ag或Cu离子注入形成的ZnS MIS结及其蓝色电致发光[J]. 发光学报, 1988,9(4): 304-309

Yu Jinghua, Fan Xiwu, Gong Tinggan. ZnS MIS DIODES FORMED BY Ag or Cu ION-IMPLANTATION AND ITS BLUE EL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(4): 304-309
于敬华, 范希武, 宫廷干. Ag或Cu离子注入形成的ZnS MIS结及其蓝色电致发光[J]. 发光学报, 1988,9(4): 304-309 DOI：

Yu Jinghua, Fan Xiwu, Gong Tinggan. ZnS MIS DIODES FORMED BY Ag or Cu ION-IMPLANTATION AND ITS BLUE EL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(4): 304-309 DOI：

摘要

本文叙述了在室温下用能量为70~100keV

剂量为1~3×10

-2

的Ag或Cu离子注入到低阻ZnS晶体中

经N

气流350℃下退火处理

并用扫描电镜观测晶片断面的反射电子像(REI)

吸收电子像(AEI)和二次电子像(5EI)

发现了经离子注入的ZnS晶片表面存在一个厚约1μ的绝缘层

还根据对MIS结C-V特性测量

计算了二极管Ⅰ层的厚度为1.1μ

它与用扫描电镜观测的结果一致.文中还测量了ZnS:Ag(或Cu)MIS二极管在正向电压下的发光光谱

根据谱峰位置表明发光分别起源于Ag(或Cu)发光中心.在室温下用肉眼观察二者皆为蓝色电致发光.

Abstract

ZnS is one of the promising materials for blue electroluminescence(EL)at room temperature (RT). In this paper

the thickness of insulating layer(Ⅰ) was measured directly

and the blue EL in ZnS:Ag (or Cu) MIS diodes were obtained at RT

Ag or Cu ions were implanted into low resistivity

-type ZnS dices at RT with the energyrange 70-100keV and the doping range 1-3×l0

-2

. Then the ZnS implanted dices were annealed in N

flow at 350℃ for 60min. An ohmic contact was made on the non-implanted surface

and a thin Au electrode was evaporated onto the implanted surface in the ZnS dice.

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