金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭

张兵临; 陈晓东

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭

简报 | 更新时间：2020-08-11

- 金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭
- FLUORESCENCE QUENCHING OF ADSORBED MOLECULES ON METAL OR SEMICONDUCTOR SURFACE
- 发光学报 1988年9卷第2期页码：182-184
- 作者机构：
  
  1. 郑州大学物理系
  2. 深圳大学电子系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1987-11-19，
  
  纸质出版日期：1988-05-30
- 稿件说明：
移动端阅览
张兵临, 陈晓东. 金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭[J]. 发光学报, 1988,9(2): 182-184

Zhang Binglin, Chen Xiaodong. FLUORESCENCE QUENCHING OF ADSORBED MOLECULES ON METAL OR SEMICONDUCTOR SURFACE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(2): 182-184
张兵临, 陈晓东. 金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭[J]. 发光学报, 1988,9(2): 182-184 DOI：

Zhang Binglin, Chen Xiaodong. FLUORESCENCE QUENCHING OF ADSORBED MOLECULES ON METAL OR SEMICONDUCTOR SURFACE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(2): 182-184 DOI：

摘要

本文提出了分子吸附于金属或半导体表面呈现荧光猝灭现象的新的理论解释

认为荧光猝灭现象是由于处于激发态的吸附分子和等离子体振荡之间能量迁移的结果。文中并提出了“受迫等离激元”概念。

Abstract

In this paper

we present a theory of fluorescence quenching of adsorbed molecules on metal or semiconductor surface.We propose that the fluorescence quenching is due to energy transfering from adsorbed molecules to forced plasmon.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据

相关机构

暂无数据

AI问答

地址：长春市经济技术开发区东南湖大路3888号邮编：130033
联系电话：0431-86176862 Email：fgxbt@126.com
本系统由Light学术出版中心、北京北大方正电子有限公司共建吉ICP备11002662号-17 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies

⁰

金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭

FLUORESCENCE QUENCHING OF ADSORBED MOLECULES ON METAL OR SEMICONDUCTOR SURFACE

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references