GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

冯禹臣; 高大超; 袁佑荣

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GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

其它 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察
- OBSERVATION OF X-RAY DOUBLE CRYSTAL TOPOGRAPHY ON GaAs/AlGaAs MBE GROWN LAYERS
- 发光学报 1988年9卷第3期页码：241-248
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1987-02-16，
  
  纸质出版日期：1988-08-30
- 稿件说明：
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冯禹臣, 高大超, 袁佑荣. GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察[J]. 发光学报, 1988,9(3): 241-248

Feng Yuchen, Gao Dachao, Yuan Yourong. OBSERVATION OF X-RAY DOUBLE CRYSTAL TOPOGRAPHY ON GaAs/AlGaAs MBE GROWN LAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(3): 241-248
冯禹臣, 高大超, 袁佑荣. GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察[J]. 发光学报, 1988,9(3): 241-248 DOI：

Feng Yuchen, Gao Dachao, Yuan Yourong. OBSERVATION OF X-RAY DOUBLE CRYSTAL TOPOGRAPHY ON GaAs/AlGaAs MBE GROWN LAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(3): 241-248 DOI：

摘要

本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlGaAs衬底和外延层分别进行了X射线形貌术观察。讨论了外延层中存在的失配位错、生长小丘、沾污和局部微差取向等缺陷。对位错的组态和来源进行了初步分析。本实验结果也表明

有应变超晶格过渡层的MBE法对生长优质的GaAs/AlGaAs外延片是有利的。

Abstract

X-ray double crystal topography method with non-parallel asymmetrical (+

-) setting and the study on GaAs/AlGaAs epitaxial crystal are given in this paper. The diffracted effects of bending crystal plane resulted from epitaxy are analysed.From the topographies of substrate and epitaxial layers on MBE

misfit dislocations

line dislocations

growth hillock

defects from pollution and misorientation are discussed.The origination and developement of defects and dislocations are explained from the processes and principle. It is found that the MBE growth GaAs/AlGaAs epitaxy can be improved by the insert of a serial strain super lattices.

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