ZnS:ErF3电致发光薄膜2H11/2,4S3/2→4I15/2发光的猝灭过程

李长华; 孟立建; 宋航; 钟国柱

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ZnS:ErF₃电致发光薄膜²H_11/2,⁴S_3/2→⁴I_15/2发光的猝灭过程

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- ZnS:ErF₃电致发光薄膜²H_11/2,⁴S_3/2→⁴I_15/2发光的猝灭过程
- THE QUENCHING PROCESS OF ELECTROLUMINESCENCE OF ²H_11/2 AND ⁴S_3/2 FOR ZnS:ErF THIN FILM
- 发光学报 1988年9卷第2期页码：125-131
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1987-06-10，
  
  纸质出版日期：1988-05-30
- 稿件说明：
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李长华, 孟立建, 宋航, 钟国柱. ZnS:ErF3电致发光薄膜2H11/2,4S3/2→4I15/2发光的猝灭过程[J]. 发光学报, 1988,9(2): 125-131

Li Changhua, Meng Lijian, Song Hang, Zhong Guozhu. THE QUENCHING PROCESS OF ELECTROLUMINESCENCE OF 2H11/2 AND 4S3/2 FOR ZnS:ErF THIN FILM[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(2): 125-131
李长华, 孟立建, 宋航, 钟国柱. ZnS:ErF3电致发光薄膜2H11/2,4S3/2→4I15/2发光的猝灭过程[J]. 发光学报, 1988,9(2): 125-131 DOI：

Li Changhua, Meng Lijian, Song Hang, Zhong Guozhu. THE QUENCHING PROCESS OF ELECTROLUMINESCENCE OF 2H11/2 AND 4S3/2 FOR ZnS:ErF THIN FILM[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(2): 125-131 DOI：

摘要

本文通过ZnS:ErF

交流电致发光薄膜发光光谱和发光衰减特性研究了Er

离子

11/2

3/2

发光的猝灭过程

实验结果表明由于Er

离子间多极矩相互作用

一个激发的Er

离子从

11/2

态无辐射弛豫到

9/2

态

同时另一个激发的Er

离子从

7/2

或

5/2

3/2

态跃迁到

9/2

或

11/2

态的交叉弛豫过程是

11/2

3/2

发光浓度猝灭的一个主要机制

交叉弛豫几率随着掺杂浓度的增加而增大

根据在固定掺杂浓度下

11/2

3/2

、

9/2

发光衰减时间不随激发密度而改变的实验结果

排除了处于激发的Er

离子之间直接能量传递的可能性

这结果与扩散限制的能量传递理论相符。

Abstract

Some recent research on ac-coupled thin film EL devices has been aimed at solving the problem of multicoloring.For multicoloring

rare-earth ions

which offer a wide variety of emission wavelength in the visible spectrum

have been widely investigated mainly in ZnS thin film. ZnS doped with ErF

is an important green EL material

So far

no detailed study on the influence of ErF

concentration on EL characteristics in ZnS:ErF

EL thin film.

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