您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中极化子的结合能
发光的一般问题 | 更新时间:2020-08-11
    • GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中极化子的结合能

    • BINDING ENERGY OF DRESSED CHARGED PARTICLES IN GaAs-Ga1-xAlxAs QUANTUM WELL

    • 发光学报   1987年8卷第4期 页码:291-296
    • 收稿日期:1987-06-26

      纸质出版日期:1987-11-30

    移动端阅览

  • 阮航宇, 田明真, 潘金声. GaAs-Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As量子阱中极化子的结合能[J]. 发光学报, 1987,8(4): 291-296 DOI:

    Ruan Hangyu, Tian Mingzhen, Pan Jinsheng. BINDING ENERGY OF DRESSED CHARGED PARTICLES IN GaAs-Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As QUANTUM WELL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(4): 291-296 DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

49

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

暂无数据

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据
0