硒化锌晶体背景深能级的光电容谱

杨锡震; 潘维; 喀蔚波; 刘玉梁; 范希武

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硒化锌晶体背景深能级的光电容谱

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 硒化锌晶体背景深能级的光电容谱
- PHOTOCAPACITANCE SPECTRA OF BACKGROUND DEEP LEVELS IN ZnSe
- 发光学报 1986年7卷第2期页码：193-199
- 作者机构：
  
  1. 北京师范大学物理系北京,100875
  2. 中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1985-07-06，
  
  纸质出版：1986-05-30
- 稿件说明：
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杨锡震, 潘维, 喀蔚波, 刘玉梁, 范希武. 硒化锌晶体背景深能级的光电容谱[J]. 发光学报, 1986,7(2): 193-199

Yang Xi-zhen(X. Z. Yang), Pan Wei, Ka Wei-bo, Liu Yu-liang, Fan Xi-wu. PHOTOCAPACITANCE SPECTRA OF BACKGROUND DEEP LEVELS IN ZnSe[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(2): 193-199
杨锡震, 潘维, 喀蔚波, 刘玉梁, 范希武. 硒化锌晶体背景深能级的光电容谱[J]. 发光学报, 1986,7(2): 193-199 DOI：

Yang Xi-zhen(X. Z. Yang), Pan Wei, Ka Wei-bo, Liu Yu-liang, Fan Xi-wu. PHOTOCAPACITANCE SPECTRA OF BACKGROUND DEEP LEVELS IN ZnSe[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(2): 193-199 DOI：

摘要

对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57～0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。

在0.67～1.0eV范围内的激发光引起的电容瞬变过程呈现双指数行为。回归分析结果表明样品中存在六个深能级

分别位于导带下方0.55

0.66

0.92

1.19

1.38和1.S2eV处。

Abstract

The result of photocapacitance measurement on background deep levels in ZnSe is reported.A short discussion about the principle of photocapacitance technique used in this work is presented.In the case that there is only one deep level located within the upper half of the gap and its concentration

is much smaller than that of the shallow impurity

the capacitance transient is a single exponential one.In the case that more than one deep levels exist

the transient is a multi-exponential one When

=2 the individualΔCi(∞)and Ti can be determined by multi-regression procedure.

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