GaInAsP/InP LED透镜的研制

邬祥生; 徐少华; 姚文兰; 董荣康

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GaInAsP/InP LED透镜的研制

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- GaInAsP/InP LED透镜的研制
- FORMATION OF LENSES ON GaInAsP/InP LEDs
- 发光学报 1985年6卷第2期页码：155-160
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1984-11-30，
  
  纸质出版日期：1985-05-30
- 稿件说明：
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邬祥生, 徐少华, 姚文兰, 董荣康. GaInAsP/InP LED透镜的研制[J]. 发光学报, 1985,6(2): 155-160

Wu Xiangsheng, Xu Shaohua, Yao Wenlan, Dong Rongkang. FORMATION OF LENSES ON GaInAsP/InP LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(2): 155-160
邬祥生, 徐少华, 姚文兰, 董荣康. GaInAsP/InP LED透镜的研制[J]. 发光学报, 1985,6(2): 155-160 DOI：

Wu Xiangsheng, Xu Shaohua, Yao Wenlan, Dong Rongkang. FORMATION OF LENSES ON GaInAsP/InP LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(2): 155-160 DOI：

摘要

带有透镜结构的发光管有利于提高器件的外量子效率和耦合效率。InP衬底对1.3μm波长范围的光发射是透明的

因而可制造带透镜结构器件。本文研究了4%CH

COOH体系腐蚀液和H

:HCI体积比为1:3腐蚀液的腐蚀特性

比较了二者的活化能和腐蚀液的温度

状态和衬底晶向等对腐蚀速率的影响。并用二步腐蚀法在外延片的InP衬底上制成了带有透镜的InAsP/InP发光管。其曲率半径为160—170μm。该器件在彩色录像传输系统中的应用效果良好。

Abstract

The GalnAsP/InP DH-LEDs

which emit the light in 0.96-1.67μm spectral range

have been used in optical communication. In this paper

we report the fabrication of 1.3μm GalnAsP/InP LED with lens using chemical etching in detail. This lensed LED improves the coupling efficiency and the external quantum efficiency. The InP substrates used were (001) oriented or other oriented n-InP single crystal slices (Sn-doped

n-7×10

-2×10

-3

). The GalnAsP/InP DH wafers were obtained by successive LPE growths of 5μm thick n-type buffer layer

an undoped GalnAsP (A-1.3μm) active layer and 1 urn thick p-type (Zn-doped) confining layer.

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