InGaAsP/InP边发光管特性的研究

张桂成; 徐少华; 程宗权; 陈瑞璋; 龚连根; 杨林宝

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InGaAsP/InP边发光管特性的研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- InGaAsP/InP边发光管特性的研究
- STUDY OF CHARACTERISTICS IN THE InGaAsP/InP EDGE-EMITTING LED'S
- 发光学报 1985年6卷第1期页码：55-59
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1984-02-07，
  
  纸质出版日期：1985-02-28
- 稿件说明：
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张桂成, 徐少华, 程宗权, 陈瑞璋, 龚连根, 杨林宝. InGaAsP/InP边发光管特性的研究[J]. 发光学报, 1985,6(1): 55-59

Zhang Guicheng, Xu Shaohua, Cheng Zongquan, Chen Ruizhang, Gong Liangen, Yang Linbao. STUDY OF CHARACTERISTICS IN THE InGaAsP/InP EDGE-EMITTING LED'S[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(1): 55-59
张桂成, 徐少华, 程宗权, 陈瑞璋, 龚连根, 杨林宝. InGaAsP/InP边发光管特性的研究[J]. 发光学报, 1985,6(1): 55-59 DOI：

Zhang Guicheng, Xu Shaohua, Cheng Zongquan, Chen Ruizhang, Gong Liangen, Yang Linbao. STUDY OF CHARACTERISTICS IN THE InGaAsP/InP EDGE-EMITTING LED'S[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(1): 55-59 DOI：

摘要

用液相外延技术生长的外延片

制成了SiO

条形限制的InGaAsP/InP边发光管

100mA下光功率1mW

最高值1.3mW

发射波1.31μm

半宽860A。研究了外延材料特性(如p-n结位置

有源层厚度和浓度)对器件光功率

光谱特性

和Ⅰ-Ⅴ特性的影响。有源层厚度(d)对光功率和光谱半宽有重要影响

p-n结不偏位的器件

光谱特性为单一的长波长发射蜂

具有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。p-n偏离有源层的器件

光谱特性除长波长发射峰外

尚有9700A的InP发射峰

其Ⅰ-Ⅴ特性具有异常特性

导通电压

0.9V。

Abstract

InGaAsP/InP edge-emitting LED's are capable of high coupling efficiency

winder tandwidth and narrower spectral halfwidth. In this paper

the characteristics of InGaAsP/InP edge-emitting LED's are described. The four-layer InGaAsP/InP DH wafers used for fabrication of the EELED's were grown by LPE technique. They are a 4-5μm n-type Inp buffer layer

an un-doped InGaAsP/InP active layer whose thickness varies from 0.2μm to 0.8μm; a p-InP confining layer and a Zn-doped cap layer

respectively. The position of

p-n

junction and concentration profile of wafers.

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