Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响

胡恺生; 高瑛; 苏锡安; 李殿学

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Ga_1-xAl_xAs LED深能级对其发光效率的影响

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- Ga_1-xAl_xAs LED深能级对其发光效率的影响
- EFFECT OF DEEP LEVEL ON LUMINOUS EFFICIENCY OF Ga_1-Al_xAs
- 发光学报 1984年5卷第3期页码：25-32
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1983-09-17，
  
  纸质出版日期：1984-08-30
- 稿件说明：
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胡恺生, 高瑛, 苏锡安, 李殿学. Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响[J]. 发光学报, 1984,5(3): 25-32

Hu Kaisheng, Gao Ying, Su Xian, Li Dianxue. EFFECT OF DEEP LEVEL ON LUMINOUS EFFICIENCY OF Ga1-AlxAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(3): 25-32
胡恺生, 高瑛, 苏锡安, 李殿学. Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响[J]. 发光学报, 1984,5(3): 25-32 DOI：

Hu Kaisheng, Gao Ying, Su Xian, Li Dianxue. EFFECT OF DEEP LEVEL ON LUMINOUS EFFICIENCY OF Ga1-AlxAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(3): 25-32 DOI：

摘要

本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga

1-x

As LED的深能级浓度.深度和俘获截面

并计算出电子和空穴的寿命

同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发

分析了实验结果.表明1

与3

LED发光效率比

大致等于它们的寿命比

但2

与3

却差别很大

文中从光谱角度作了一些分析

差值有所改进.从载流子寿命分析

找出了△

=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800Å的红外峰是使发光效率降低的另一个原因

它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合

要得到高效的LED必须制备出好的Ga

1-x

As与GaAs界面

应尽可能使红外峰减少.实验表明

效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV)

在室温下视察不到明显的红外峰。

Abstract

Effect of deep level on luminous efficiency of Ga

1-x

As is studied by DLTS method. The concentration

the depth and the capture cross-section of deep levels are measured for three LEDs with different efficiencies

and then the life time τ

of majority carrier in

region are calculated. The emission spectra and the luminous flux of these LEDs are also measured.

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