深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响

王德宁; 水海龙

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深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响
- DEEP LEVEL IMPURITY EFFECT ON THE OUTPUT POWER SATURATION IN InGaAsP/InP LED
- 发光学报 1984年5卷第1期页码：50-58
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1983-07-25，
  
  纸质出版：1984-02-29
- 稿件说明：
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王德宁, 水海龙. 深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响[J]. 发光学报, 1984,5(1): 50-58

Wang De-ning, Shui Hai-long. DEEP LEVEL IMPURITY EFFECT ON THE OUTPUT POWER SATURATION IN InGaAsP/InP LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(1): 50-58
王德宁, 水海龙. 深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响[J]. 发光学报, 1984,5(1): 50-58 DOI：

Wang De-ning, Shui Hai-long. DEEP LEVEL IMPURITY EFFECT ON THE OUTPUT POWER SATURATION IN InGaAsP/InP LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(1): 50-58 DOI：

摘要

本文从文献测得InGaAsP材料中存在着较大的俘获截面、较高的深能级杂质(或缺陷)浓度的事实出发

应用了文献(13)所提出的深能级引起的多声子非辐射复合模型

在此模型基础上

使用了一系列与多声子复合有关的关系式

从理论和实验上证实了考虑多声子复合对LED输出功率饱和性影响的必要性。讨论了深能缀杂质(或缺陷)的能级及其浓度对注入电流

与载流子寿命τ、内量子效率qηi

输出功率间关系的影响。也讨论了温度的影响。研究了各参数闯相互关系

并找出了影晌饱和性的原因所在。

Abstract

In stationary state the output power of LED can be written aswhere η is the external quantum efficiency

ηi the internal quantum efficiency

ηq

the carrier efficiency

J the injection current density

the radiation cross-section and e the electron charge.Using the standard power pB as normalizing treatment

we can obtain the normalized equationwhere I is the injection current

ηi

B and IB is the standard internal quantum efficiency and injection current

respectively.Owing toso we must consider simultanously the influence of the carrier lifetime τ and the radiation lifetime τr.According to the literature.

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