ZnS:Tm薄膜电致发光的激发过程

马力; 钟国柱; 许少鸿

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ZnS:Tm薄膜电致发光的激发过程

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- ZnS:Tm薄膜电致发光的激发过程
- THE EXCITATION PROCESS OF Tm ION IN ZnS:Tm THIN FILM ELECTROLUMINESCENCE
- 发光学报 1985年6卷第3期页码：192-199
- 作者机构：
  
  中国辩学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1985-05-29，
  
  纸质出版日期：1985-08-30
- 稿件说明：
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马力, 钟国柱, 许少鸿. ZnS:Tm薄膜电致发光的激发过程[J]. 发光学报, 1985,6(3): 192-199

Ma Li, Zhong Guozhu, Xu Shaohong. THE EXCITATION PROCESS OF Tm ION IN ZnS:Tm THIN FILM ELECTROLUMINESCENCE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(3): 192-199
马力, 钟国柱, 许少鸿. ZnS:Tm薄膜电致发光的激发过程[J]. 发光学报, 1985,6(3): 192-199 DOI：

Ma Li, Zhong Guozhu, Xu Shaohong. THE EXCITATION PROCESS OF Tm ION IN ZnS:Tm THIN FILM ELECTROLUMINESCENCE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(3): 192-199 DOI：

摘要

利用电子束蒸发方法制得ITO-Y

-ZnS:Tm

-Y

-Al结构的薄膜可以得到蓝色电致发光.本文首次报导了ZnS:Tm

薄膜与ZnS:Er

、ZnS:Tb

薄膜电致发光的激发过程有所不同.Tm

离子的激发可以通过某些杂质中心到Tm

离子的能量传递来实现.

Abstract

This paper first reports that the mechanism of electroluminescence(EL)excitation in ZnS:Tm thin film(TF)is different from that in ZnS:Er and ZnS:Tb TF.It appears that excitation energy transfers from some impure centers to Tm ions.The ZnS:Tm TF with ITO-Y

-ZnS:Tm-Y

-A1 structure is made by electron-beam evaporation.During the evaporation the vacuum pressure

the evaporation rate of ZnS:Tm layer

and the substrate temperature are 5×10

-5

torr

200Å/min

and 160℃-200℃ respectively.The optimum Tm

ion concentration is approximately 2% by weight and the thickness of ZnS:Tm layer is in the range from 400nm to 600nm.

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