1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究

水海龙; 张桂成; 邬祥生; 陈启玙; 徐少华; 杨易; 陈瑞璋; 胡道珊

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究
- STUDY OF THE CHARACTERISTICS FOR 1.3μm InGaAsP/InP DOUBLE HETERO-STRUCTURE LED'S
- 发光学报 1982年3卷第3期页码：72-77
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1982-05-28，
  
  纸质出版：1982-08-30
- 稿件说明：
移动端阅览
水海龙, 张桂成, 邬祥生, 陈启玙, 徐少华, 杨易, 陈瑞璋, 胡道珊. 1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究[J]. 发光学报, 1982,3(3): 72-77

Shui Hai-long, Zhang Gui-cheng, Wu Xiang-sheng, Chen Qi-yu, Xu Shao-hua, Yang Yi, Chen Rui-zhang, Hu Dao-shan. STUDY OF THE CHARACTERISTICS FOR 1.3μm InGaAsP/InP DOUBLE HETERO-STRUCTURE LED'S[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(3): 72-77
水海龙, 张桂成, 邬祥生, 陈启玙, 徐少华, 杨易, 陈瑞璋, 胡道珊. 1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究[J]. 发光学报, 1982,3(3): 72-77 DOI：

Shui Hai-long, Zhang Gui-cheng, Wu Xiang-sheng, Chen Qi-yu, Xu Shao-hua, Yang Yi, Chen Rui-zhang, Hu Dao-shan. STUDY OF THE CHARACTERISTICS FOR 1.3μm InGaAsP/InP DOUBLE HETERO-STRUCTURE LED'S[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(3): 72-77 DOI：

摘要

用液相外延技术生长的三层和四层InGaAsP/InP双异质结材料

制成了1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管。光功率输出(100mA)>1.0mW

最高2mW

尾纤输出功率(N.A.0.23

芯径60μ)>50μW。文中描述了器件的特性参数

还讨论了光功率的饱和特性和退化特性。

Abstract

The three and four layer InGaAsP/InP DH wafer used for fabrication of the LED's were grown by LPE technique. The InGaAsP/InP DH LED's have been fabricated. The device output was over 1mW

highest value was about 2mW. The output power of the tail fiber (core diameter 60 μm

N.A.=0.23) was over 50 μW. In this report the characteristics of the InGaAsP/lnP DH LED's are described and the characteristics of the output saturation and degradation Were discussed.

关键词

Keywords

references

浏览量

114

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据