分子束外延法生长的Au/ZnSe:Mn/n-Ge直流电致发光单晶膜

王全坤; 三岛友义; 高桥清

doi:null

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分子束外延法生长的Au/ZnSe:Mn/n-Ge直流电致发光单晶膜

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 分子束外延法生长的Au/ZnSe:Mn/n-Ge直流电致发光单晶膜
- A DC ELECTROLUMINESCENT CELL Au/ZnSe:Mn/n-Ge PREPARED BY MO-LECULAR BEAM EPITAXY
- 发光学报 1982年3卷第2期页码：38-42
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 日本东京工业大学电子物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1982-05-18，
  
  纸质出版：1982-05-30
- 稿件说明：
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王全坤, 三岛友义, 高桥清. 分子束外延法生长的Au/ZnSe:Mn/n-Ge直流电致发光单晶膜[J]. 发光学报, 1982,3(2): 38-42

Wang Quan-kun, Tomoyoshi MISHIMA, Kiyoshi TAKAHASHI. A DC ELECTROLUMINESCENT CELL Au/ZnSe:Mn/n-Ge PREPARED BY MO-LECULAR BEAM EPITAXY[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 38-42
王全坤, 三岛友义, 高桥清. 分子束外延法生长的Au/ZnSe:Mn/n-Ge直流电致发光单晶膜[J]. 发光学报, 1982,3(2): 38-42 DOI：

Wang Quan-kun, Tomoyoshi MISHIMA, Kiyoshi TAKAHASHI. A DC ELECTROLUMINESCENT CELL Au/ZnSe:Mn/n-Ge PREPARED BY MO-LECULAR BEAM EPITAXY[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 38-42 DOI：

摘要

用分子束外延法制成了具有Au/ZnSe:Mn/n-Ge结构的电致发光单晶膜

最低起亮电压为6V。在直流12.8V和14.7A/cm

的驱动下发光亮度为73fL、最大量子效率为4.3×10

-5

(10.8V

3A/cm

)

Abstract

A thin film electroluminescent (EL) cell having Au/ZnSe:Mn/n-Ge structure has been fabricated by molecular beam epitaxy (MBE). The lowest threshold voltage attained is 6V. Typical driving peformance of the EL cell gives 73 fL in brightness at the DC mode operation of 12.8V and 14.7 A/cm

and the best quantum efficiency is 4.3×10

-5

(at 10

3A/cm

)

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