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低压、反向偏压,铒和钕注入的ZnSe发光二极管
电致发光 | 更新时间：2020-08-11

    • 低压、反向偏压,铒和钕注入的ZnSe发光二极管

    • LOW-VOLTAGE, REVERSED-BIASED DIODES OF ERBIUM-IMPLANTED AND NEODYMIUM-IMPLANTED ZINC SELENIDE

    • 发光学报   1982年3卷第1期 页码：20-22

    • 纸质出版：1982-02-28

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  • 钟国柱, F. J. Bryant. 低压、反向偏压,铒和钕注入的ZnSe发光二极管[J]. 发光学报, 1982,3(1): 20-22 DOI：

    Zhong Guo-zhu, F. J. Bryant. LOW-VOLTAGE, REVERSED-BIASED DIODES OF ERBIUM-IMPLANTED AND NEODYMIUM-IMPLANTED ZINC SELENIDE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(1): 20-22 DOI：

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