掺铒的ZnS薄膜直流电致发光和光谱强度

钟国柱; F. J. Bryant

doi:null

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掺铒的ZnS薄膜直流电致发光和光谱强度

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 掺铒的ZnS薄膜直流电致发光和光谱强度
- DIRECT CURRENT ELECTROLUMINESCENCE AND SPECTRAL INTENSITY IN ERBIUM-DOPED ZINC SULPHIDE THIN FILMS
- 发光学报 1981年2卷第3期页码：18-23
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 英国Hull大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1981-08-30
- 稿件说明：
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钟国柱, F. J. Bryant. 掺铒的ZnS薄膜直流电致发光和光谱强度[J]. 发光学报, 1981,2(3): 18-23

Zhong Guo-zhu, F. J. Bryant. DIRECT CURRENT ELECTROLUMINESCENCE AND SPECTRAL INTENSITY IN ERBIUM-DOPED ZINC SULPHIDE THIN FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(3): 18-23
钟国柱, F. J. Bryant. 掺铒的ZnS薄膜直流电致发光和光谱强度[J]. 发光学报, 1981,2(3): 18-23 DOI：

Zhong Guo-zhu, F. J. Bryant. DIRECT CURRENT ELECTROLUMINESCENCE AND SPECTRAL INTENSITY IN ERBIUM-DOPED ZINC SULPHIDE THIN FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(3): 18-23 DOI：

摘要

使用同时蒸发的办法制备薄膜ZnS:Cu

薄膜具有良好的直流电致发光.将实验观察铒离子从激发态到基态跃迁的光谱强度同振子强度的理论计算相比较

两者之间符合得很好.因而进一步证明在稀土离子掺杂的ZnS薄膜直流电致发光过程中

热电子能量分布遵从玻尔兹曼分布.

Abstract

A simple technique of simultaneous co-evaporation has been used to form thin films of erbium-doped zinc sulphide which give good DCEL. For transitions from excited states to the

15/2

ground state of the Er

ion theoretical calculations of oscillator strengths have been compared with those determined experimentally from observations of spectral intensities of DCEL. The good agreement noted between experiment and theory gives further support for a previous finding that in rare-earth doped ZnS thin films the hot electrons exciting DCEL follow a Boltzmann distribution.

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