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浙江大学物理系
收稿:1980-11-03,
纸质出版:1981-03-02
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曹光胜, 丁祖昌, 华卫民, 吴国贤. 重复稳定的掺氮磷化镓液相外延[J]. 发光学报, 1981,2(1): 68-73
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(1): 68-73
曹光胜, 丁祖昌, 华卫民, 吴国贤. 重复稳定的掺氮磷化镓液相外延[J]. 发光学报, 1981,2(1): 68-73 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(1): 68-73 DOI:
本文简要地评述磷化镓外延生长技术
指出采用气相掺杂过补偿液相外延技术
适合于制备较高外量子效率的磷化镓绿色发光器件所需的外延生长层.从既能获得较高发光效率又能满足工业批量生产要求出发
设计制造了采用滑板技术及气相掺氮和掺锌的过补偿液相外延生长装置.装置具有结构简单
操作方便
便于控制等特点.应用该装置进行试验
总结了外延生长主要工艺和典型的生长条件.连续十余次外延生长的实验结果表明
所采用的液相外延生长技术
能稳定重复地生长出符合于制备较高外量子效率的绿色发光器件所需的掺氮磷化镓外延生长层.用该材料制成绿色发光二极管
当发光面积为500×500微米
2
电流密度为12A/cm
时
总光通量一般大于10毫流明.最高的达到了19.85毫流明.由此说明
本文所报导的液相外延技术适合于工业上批量生产磷化镓绿色发光二极管.
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