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n-Ga1-xAlxAs的能带结构和Hall迁移率
发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

    • n-Ga1-xAlxAs的能带结构和Hall迁移率

    • 暂无标题

    • 发光学报   1981年2卷第1期 页码：1-10

    • 收稿：1981-12-20，

      纸质出版：1981-03-02

    移动端阅览

  • 黄美纯. n-Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As的能带结构和Hall迁移率[J]. 发光学报, 1981,2(1): 1-10 DOI：

    . [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(1): 1-10 DOI：

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