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中国科学院长春物理所第五研究室四组
纸质出版:1980-11-30
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中国科学院长春物理所第五研究室四组. npnp Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As负阻发光二极管研究成功[J]. 发光学报, 1980,1(6): 62-62
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(6): 62-62
中国科学院长春物理所第五研究室四组. npnp Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As负阻发光二极管研究成功[J]. 发光学报, 1980,1(6): 62-62 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(6): 62-62 DOI:
采用多层异质液相外延技术
制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga
1~s
Al
2
As负阻发光二极管。其典型参数为阈值电压V
th
:5~50v
阈值电流I
<
1mA
保持电压V
k
~1.8v
保持电流I
3mA
反向击穿电压V
40~100v
反向漏电流。
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