镓铟磷三元化合物中的自由激子和杂质N发光中心的结构位形

张新夷

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镓铟磷三元化合物中的自由激子和杂质N发光中心的结构位形

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 镓铟磷三元化合物中的自由激子和杂质N发光中心的结构位形
- THE FREE EXCITON AND THE CONFIGU-RATION OF THE LUMINESCENCE CENTERS DUE TO N IMPURITY IN (Ga, In)P
- 发光学报 1982年3卷第2期页码：1-9
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1982-04-22，
  
  纸质出版：1982-05-30
- 稿件说明：
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张新夷. 镓铟磷三元化合物中的自由激子和杂质N发光中心的结构位形[J]. 发光学报, 1982,3(2): 1-9

Zhang Xin-yi(H. Chang). THE FREE EXCITON AND THE CONFIGU-RATION OF THE LUMINESCENCE CENTERS DUE TO N IMPURITY IN (Ga, In)P[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 1-9
张新夷. 镓铟磷三元化合物中的自由激子和杂质N发光中心的结构位形[J]. 发光学报, 1982,3(2): 1-9 DOI：

Zhang Xin-yi(H. Chang). THE FREE EXCITON AND THE CONFIGU-RATION OF THE LUMINESCENCE CENTERS DUE TO N IMPURITY IN (Ga, In)P[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 1-9 DOI：

摘要

我们研究了Ga

1-x

P:N(x=0.99

0.98

0.96)的发光光谱

用Ar

离子激光器的458nm线激发。N的浓度为5×10

-3

。图1示出了在6K下Ga

0.99

0.01

P:N的发光光谱。Mariette和Chevallier

以及Nelson和Holonyak

[3]

。认为N

带起源于束缚在孤立N中心上激子的辐射复合。

Abstract

A new explanation of the luminescence spectrum of the N dopped alloys (Ga

In)P is given.We have observed five excitonic bands in the emission spectrum.One of them

labeled N

is attributed to the radiative recombination of the free exciton. The others are due to the excitons bound to different luminescence centers which are composed of one N atom with different surroundings. The binding energies of excitons bound to different Ga-N-In configurations are estimated.

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