GaP台面腐蚀研究

丁祖昌; 吴国贤; 华伟民; 曹光胜

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GaP台面腐蚀研究

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- GaP台面腐蚀研究
- THE RESEARCH OF MESA ETCH FOR GaP
- 发光学报 1982年3卷第2期页码：77-83
- 作者机构：
  
  浙江大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1981-11-16，
  
  纸质出版：1982-05-30
- 稿件说明：
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丁祖昌, 吴国贤, 华伟民, 曹光胜. GaP台面腐蚀研究[J]. 发光学报, 1982,3(2): 77-83

Ding Zn-chang, Wu Guo-xinan, Hua Wei-min, Cao Guang-sheng. THE RESEARCH OF MESA ETCH FOR GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 77-83
丁祖昌, 吴国贤, 华伟民, 曹光胜. GaP台面腐蚀研究[J]. 发光学报, 1982,3(2): 77-83 DOI：

Ding Zn-chang, Wu Guo-xinan, Hua Wei-min, Cao Guang-sheng. THE RESEARCH OF MESA ETCH FOR GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 77-83 DOI：

摘要

高效GaP绿色发光二极管制造中

器件的隔离和台面制作具有十分重要意义。本文介绍了用于GaP发光器件的隔离和台面制作的碱性铁氰化钾化学腐蚀技术。观察了腐蚀温度

腐蚀时间对腐蚀深度和表面形貌间关系。结果表明:碱性铁氰化钾对GaP台面腐蚀是一种优良的腐蚀剂

具有较高的腐蚀速率(2微米/分)

并可获得光滑无凹坑或少凹坑的腐蚀面。对出现的实验现象从机理上作了解释。

Abstract

In the fabrication of high efficiency green LED

the isolation and mesa formation have particular significance.In this work we have studied the chemical etching technique and mesa formation with alkaline K

Fe(CN)

etchant which provides higher etching rate and a perfect surface is excellent for GaP. For GaP material and have examined the dependence of etching depth and appearance on etching time and etching temperature.We have found that the alkaline K

Fe(CN)

etchant which providss higher etching rate and a perfect surface is excellent for GaP

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