电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜

陈凤仪; 刘振声; 单凯

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电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- 电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜
- TRANSPARENT CONDUCTIVE In₂O₃ THIN FILMS BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION
- 发光学报 1982年3卷第1期页码：77-82
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1982-02-28
- 稿件说明：
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陈凤仪, 刘振声, 单凯. 电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜[J]. 发光学报, 1982,3(1): 77-82

Chen Feng-yi, Liu Zhen-sheng, Shan Kai. TRANSPARENT CONDUCTIVE In2O3 THIN FILMS BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(1): 77-82
陈凤仪, 刘振声, 单凯. 电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜[J]. 发光学报, 1982,3(1): 77-82 DOI：

Chen Feng-yi, Liu Zhen-sheng, Shan Kai. TRANSPARENT CONDUCTIVE In2O3 THIN FILMS BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(1): 77-82 DOI：

摘要

用电子束蒸发掺SnO

氧化铟靶

可以制得性能良好的透明导电薄膜

电阻率在2.5-3.5×10

-4

Ωcm

可见光透过率达90%.这种导电薄膜能代替SnO

透明导电薄膜

并优于SnO

导电薄膜. 本文着重研究了影响氧化铟透明导电薄膜导电性、透光性的主要因素

为获得性能良好的透明导电薄膜提供了重复性较好的工艺条件.]

Abstract

Transparent conductive thin films with excellent performance have been fabricated by the electron-beam evaporation of In

doped with SnO

.The resistivity of these films ranges from 2.5×10

-4

to 3.5×10

-4

Ω-cm. Its transparency is as high as 90% to the visual light. This kind of In

films could replace the SnO

films

serving as the transparent conductive layers. The main factors affecting the conductivity and transparency of In

films are discussed in this paper

The technological conditions to obtain the films with good quality and reproducibility are also provided.

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