ZnS:Cu,Er,Cl薄膜直流电致发光效率与电场分布关系的研究

刘彤宇; 高汉江; 陶世文; 刘时惕; 赵国章; 王淑琴; 乌利吉; 钟国柱

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ZnS:Cu,Er,Cl薄膜直流电致发光效率与电场分布关系的研究

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- ZnS:Cu,Er,Cl薄膜直流电致发光效率与电场分布关系的研究
- STUDY OF THE RELATION BETWEEN ELECTROLUMINESCENT EFFICIENCY AND DISTRIBUTION OF ELECTRIC FIELD STRENGTH IN THE ZnS:Cu, Er, Cl DC THIN FILM EL DEVICES
- 发光学报 1981年2卷第3期页码：24-30
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1981-08-30
- 稿件说明：
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刘彤宇, 高汉江, 陶世文, 刘时惕, 赵国章, 王淑琴, 乌利吉, 钟国柱. ZnS:Cu,Er,Cl薄膜直流电致发光效率与电场分布关系的研究[J]. 发光学报, 1981,2(3): 24-30

Liu Tong-yu, Gao Han-jiang, Tao Shi-wen, Liu Shi-ti, Zhao Guo-zhang, Wang Shu-qin, Wu Li-ji, Zhong Guo-zhu. STUDY OF THE RELATION BETWEEN ELECTROLUMINESCENT EFFICIENCY AND DISTRIBUTION OF ELECTRIC FIELD STRENGTH IN THE ZnS:Cu, Er, Cl DC THIN FILM EL DEVICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(3): 24-30
刘彤宇, 高汉江, 陶世文, 刘时惕, 赵国章, 王淑琴, 乌利吉, 钟国柱. ZnS:Cu,Er,Cl薄膜直流电致发光效率与电场分布关系的研究[J]. 发光学报, 1981,2(3): 24-30 DOI：

Liu Tong-yu, Gao Han-jiang, Tao Shi-wen, Liu Shi-ti, Zhao Guo-zhang, Wang Shu-qin, Wu Li-ji, Zhong Guo-zhu. STUDY OF THE RELATION BETWEEN ELECTROLUMINESCENT EFFICIENCY AND DISTRIBUTION OF ELECTRIC FIELD STRENGTH IN THE ZnS:Cu, Er, Cl DC THIN FILM EL DEVICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(3): 24-30 DOI：

摘要

利用Er

离子的特征辐射

探测出ZnS:Cu

C1薄膜直流电致发光器件中沿膜厚度方向场强分布是不均匀的:有三个高场区两个低场区.并测最了这五个区域里的发光效率

得出高场区的发光效率高

低场区的发光效率低.文中对高场区的形成原因及发光效率与场强的关系进行了讨论.

Abstract

Using Er

characteristic emission

it is observed that distribution of electric field strength in thickness direction is inhomogenous in ZnS:Cu

Cl DC thin film EL devices. Three high field regions and two low field regions are measured.We have measured the EL efficiencies in these regions and found that EL efficiency is higher in the high field region and lower in the low field region.The reason for formation of high field regions and relation between EL efficiency and electric field strength are discussed in this Paper.

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