镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响

胡恺生; 高瑛; 苏锡安; 刘学彦; 温庆祥

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镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响
- DEEP LEVEL IN Ga_xAl_1-xAs LED AND THE INFLUENCE ON THE OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES
- 发光学报 1981年2卷第2期页码：34-44
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1981-03-19，
  
  纸质出版：1981-05-30
- 稿件说明：
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胡恺生, 高瑛, 苏锡安, 刘学彦, 温庆祥. 镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响[J]. 发光学报, 1981,2(2): 34-44

Hu Kai-sheng, Gao Ying, Su Xi-an, Liu Xue-yan, Wen Qing-xiang. DEEP LEVEL IN GaxAl1-xAs LED AND THE INFLUENCE ON THE OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(2): 34-44
胡恺生, 高瑛, 苏锡安, 刘学彦, 温庆祥. 镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响[J]. 发光学报, 1981,2(2): 34-44 DOI：

Hu Kai-sheng, Gao Ying, Su Xi-an, Liu Xue-yan, Wen Qing-xiang. DEEP LEVEL IN GaxAl1-xAs LED AND THE INFLUENCE ON THE OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(2): 34-44 DOI：

摘要

众所周知

杂质缺陷对半导体器件性能有很大的影响

所以引起人们极大的兴趣。所谓深能级

一般是指不易离化、电离能超过几个kT的能级。象半导体中Cu

Ni过渡金属

氧

空位及其络合物都能形成电离能较大的深能级。

Abstract

Deep level in Ga

1-x

As LEDs are studied by thermally stimulated capacitance and relaxation capacitance.Depth

concentration and capture cross section of deep levels can be determined from experimental results.Both increase of the voltage threshold of I(Ⅴ) curve at forward bias

even with negative resistance and significant decrease of capacitance are observed with decreasing temperature. These changes can not be explained by considering shift ofF ermi level and change of permittivity with temperature. Both decrease of breakdown voltage of negative resistance and increase of capacitance were found when LEDs are illumi-neted by infrared radiation. A new main peak (1.26ev) of light emission of LEDs is observed at liquid nitrogen temperature

possibly owing to oxygen contamination.

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