高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究

陈廷杰; 吴灵犀; 徐寿定; 孟庆惠; 于鯤; 李永康

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高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究

光致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究
- RESIDUAL ACCEPTOR IMPURITIES IN HIGH PURITY LPE AND VPE GaAs
- 发光学报 1981年2卷第2期页码：58-63
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院半导体研究所
  2. 中国科学院物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1980-12-17，
  
  纸质出版：1981-05-30
- 稿件说明：
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陈廷杰, 吴灵犀, 徐寿定, 孟庆惠, 于鯤, 李永康. 高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究[J]. 发光学报, 1981,2(2): 58-63

Chen Ting-jie, Wu Ling-Xi, Xu Shou-ding, Meng Qing-hui, Yu Kun, Li Yong-Kang. RESIDUAL ACCEPTOR IMPURITIES IN HIGH PURITY LPE AND VPE GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(2): 58-63
陈廷杰, 吴灵犀, 徐寿定, 孟庆惠, 于鯤, 李永康. 高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究[J]. 发光学报, 1981,2(2): 58-63 DOI：

Chen Ting-jie, Wu Ling-Xi, Xu Shou-ding, Meng Qing-hui, Yu Kun, Li Yong-Kang. RESIDUAL ACCEPTOR IMPURITIES IN HIGH PURITY LPE AND VPE GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(2): 58-63 DOI：

摘要

本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明

高纯LPE-CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge

而在AsCl

-Ga-H

系统中生长的高纯VPE-GaAs的剩余受主杂质为C、Zn、Si、Ge。但是在AsCl

-Ga-N

系统中生长的高纯VPE-GaAs只检测到受主杂质碳。本文还研究某些生长条件对杂质引入的影响。

Abstract

Residual acceptor impurities in high purity LPE-GaAs and VPE-GaAs have been investigated by photoluminescence at 4.2K and 1.8K. The experimental results show that residual acceptor impurities are C

Ge in high purity LPE-3aAs and C

Ge in high purity VPE-GaAs grown in AsCl

-Ga-H

System. However

in the high purity VPE-GaAs grown in AsCl

-Ga-N

system only carbon can be detected as a dominant acceptor impurity. The effect of some growth conditions on incorporation of residual acceptor impurities heve also been studied.

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