浏览全部资源
扫码关注微信
冶金部有色金属研究总院
收稿:1980-12-05,
纸质出版:1981-03-02
移动端阅览
李桂英, 王亚芳, 谭浩达, 李进学. 氨分压对液相外延GaP材料的影响[J]. 发光学报, 1981,2(1): 63-67
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(1): 63-67
李桂英, 王亚芳, 谭浩达, 李进学. 氨分压对液相外延GaP材料的影响[J]. 发光学报, 1981,2(1): 63-67 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(1): 63-67 DOI:
GaP是间接能隙的半导体材料
发光效率低.在GaP中掺氮可以提高发光效率
但掺氮量过高会导致外延层表面高低不平和增加光吸收
而降低发光效率.国外报导的最佳掺氮量不一
一般为8×10
17
~4×10
18
/厘米
3
[1][2][3]
.多数是采用通氨掺氮的方法.本文也是以氨做为氮的掺杂源.先用干冰收集成液体氨然后用氢气携带液体氨
实现氮的掺杂.在其它外延条件相同的情况下
只改变氢气中的氨分压
进行液相外延生长
发现所生长的GaP外延片的氮峰强度
外延片表面平整度
外延片所制发光管的总光通量
功率效率和氨分压有关.
0
浏览量
199
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构