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中国科学院长春物理所
纸质出版:1980-11-30
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袁佑荣. 激光荧光在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料及器件中的应用[J]. 发光学报, 1980,1(6): 50-56
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(6): 50-56
袁佑荣. 激光荧光在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料及器件中的应用[J]. 发光学报, 1980,1(6): 50-56 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(6): 50-56 DOI:
利用激光作激发光源
研究ⅡV族GaAs晶体
GaAsGaAlAs外延晶体及半导体发光
激光器件的光致发光(PL)特性
可以获得有关材料、器件的缺陷、杂质的分布以及它们对发光复合过程的影响的知识
了解器件的退化过程和寻找制备长寿命器件的方法
选择器件制备的合理参数和条件以及研究有关复合的动力学过程。
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CSCD
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