浏览全部资源
扫码关注微信
厦门大学
纸质出版:1980-09-30
移动端阅览
黄美纯. 化合物半导体固溶体的能带结构[J]. 发光学报, 1980,1(5): 31-44
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(5): 31-44
黄美纯. 化合物半导体固溶体的能带结构[J]. 发光学报, 1980,1(5): 31-44 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(5): 31-44 DOI:
本文评述化合物半导体固溶体能带结构研究的若干新进展。着重讨论在发光物理及异质结器件应用上最受关注的等电子替代式赝二元合金及其带隙与合金组分的关系。在此基础上简要介绍等电子替代及化合物替代的四元合金系的带隙变化规律。讨论了关于带隙弯曲参数的三种主要理论模型
即介电模型、经验赝势模型及Hill模型。分析了这一领域研究中存在的问题和发展趋向。
0
浏览量
234
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构