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中国科学院长春物理所
纸质出版:1980-09-30
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李仪, 蔡举新. 用氮离子注入制备znSe p-n结[J]. 发光学报, 1980,1(5): 21-25
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(5): 21-25
李仪, 蔡举新. 用氮离子注入制备znSe p-n结[J]. 发光学报, 1980,1(5): 21-25 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(5): 21-25 DOI:
ZnSe在室温下禁带宽度为2.67ev
有直接跃迁的能带结构
是良好的发光材料
但由于自补偿效应
通常只能得到n型一种导电类型
而难以得到p型。
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CSCD
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