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冶金部有色金属研究院
纸质出版:1980-09-30
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邓志杰, 俞斌才, 刘锡田. 高压液封直拉法生长GaP单晶[J]. 发光学报, 1980,1(5): 8-12,7
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(5): 8-12,7
邓志杰, 俞斌才, 刘锡田. 高压液封直拉法生长GaP单晶[J]. 发光学报, 1980,1(5): 8-12,7 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(5): 8-12,7 DOI:
利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶
其常温电学参数为;n
Te
s
~(2~15)10
17
cm
-3
;
n
~(86~134)cm
2
/sv;位错密度(1~4)10
4
-2
。
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